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  1. Transporte multicanal en heteroestructuras que están en presencia de campos eléctricos

    Hq37vn773?file=thumbnail
    Sujeito: Smart structures, Tunneling (Physics), Physics, Efecto túnel (Física), Heteroestructuras, Campos eléctricos, Electric fields, and Física
    O Criador: Mendoza Figueroa, María Guadalupe
    Contribuinte: Baquero Parra, Rafael, Linares Romero, Román, Jiménez Mendoza, José Luis, and Pereyra Padilla, Pedro
    Editor: Universidad Autónoma Metropolitana
    Posgrado: Maestria en Ciencias Fisica
    Língua: spa
    Año de publicación: 2013
    Direitos: Acceso Abierto
    Licença: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)
    Tipo de Recurso: info:eu-repo/semantics/masterThesis
    Identificador: https://doi.org/10.24275/uami.ns0646221

  2. Dinámica de la polarización del espín electrónico y nuclear en trampas paramagnéticas de Ga en GaAsN

    Br86b366z?file=thumbnail
    Descrição: Recientemente las propiedades de espín en muestras de GaAs dopadas con pequeñas cantidades de Nitrógeno han recibido un gran interés debido a la alta polarización del espín alcanzada por los electrones de la banda de conducción bajo excitación óptica de luz circularmente polarizada a temperatura ambiente. La incorporación de átomos...
    Sujeito: Polarización (Física nuclear), Espín nuclear, Polarization (Nuclear physics), and Nuclear spin
    O Criador: Ibarra Sierra, Víctor Guadalupe
    Contribuinte: Cardoso Cortés, José Luis, Cruz Jiménez, Salvador Antonio, Kunold Bello, Alejandro, García Naumis, Gerardo, and Pereyra Padilla, Pedro
    Editor: Universidad Autónoma Metropolitana
    Posgrado: Doctorado en Ciencias Fisica
    Língua: spa
    Año de publicación: 2018
    Direitos: Acceso Abierto
    Licença: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)
    Tipo de Recurso: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
    Identificador: https://doi.org/10.24275/uami.b2773v74n

  3. Detección del flip-flop de los centros paramagnéticos del GaAsN mediante bombeo óptico en régimen pulsado

    Rb68xb91b?file=thumbnail
    Descrição: Usando el enfoque de la ecuación maestra, en este trabajo desarrollamos un modelo que describe la dinámica del espín nuclear y electrónico en régimen pulsado en trampas paramagnéticas de Ga2+ presentes en semiconductores de GaAsN. Este modelo describe las principales interacciones entre los electrones de la banda de conducción, los...
    Sujeito: Semiconductores, Espín nuclear, Semiconductors, and Nuclear spin
    O Criador: Sandoval Santana, Juan Carlos
    Contribuinte: Pereyra Padilla, Pedro, Mora y Palomar Askinasy, Pablo de la, García Naumis, Gerardo, Santoyo Salazar, Jaime, and Kunold Bello, Alejandro
    Editor: Universidad Autónoma Metropolitana
    Posgrado: Doctorado en Ciencias Fisica
    Língua: spa
    Año de publicación: 2018
    Direitos: Acceso Abierto
    Licença: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)
    Tipo de Recurso: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
    Identificador: https://doi.org/10.24275/uami.7m01bk77g