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  1. Detección del flip-flop de los centros paramagnéticos del GaAsN mediante bombeo óptico en régimen pulsado

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    Descrição: Usando el enfoque de la ecuación maestra, en este trabajo desarrollamos un modelo que describe la dinámica del espín nuclear y electrónico en régimen pulsado en trampas paramagnéticas de Ga2+ presentes en semiconductores de GaAsN. Este modelo describe las principales interacciones entre los electrones de la banda de conducción, los...
    Sujeito: Semiconductores, Espín nuclear, Semiconductors, and Nuclear spin
    O Criador: Sandoval Santana, Juan Carlos
    Contribuinte: Pereyra Padilla, Pedro, Mora y Palomar Askinasy, Pablo de la, García Naumis, Gerardo, Santoyo Salazar, Jaime, and Kunold Bello, Alejandro
    Editor: Universidad Autónoma Metropolitana
    Posgrado: Doctorado en Ciencias Fisica
    Língua: spa
    Año de publicación: 2018
    Direitos: Acceso Abierto
    Licença: Atribucion-NoComercial 4.0 Internacional (CC BY-NC 4.0)
    Tipo de Recurso: info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
    Identificador: https://doi.org/10.24275/uami.7m01bk77g